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IRF710S, SiHF710S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
Top
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
150 ° C
10 0
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
10 0
25 ° C
4.5 V
20 μs Pulse Width
10 -1
20 μs Pulse Width
10 -1
T C = 25 °C
V DS = 50 V
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91042_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
91042_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Top
V GS
15 V
10 V
3.5
3.0
I D = 2.0 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
2.5
10 0
6.0 V
10 -1
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
20 μs Pulse Width
T C = 150 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
10 0
10 1
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91042_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91042_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 91042
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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